IRT 3000

Sadržaj

Istraživači na FER-u razvili najbrži čisti silicijski lateralni bipolarni tranzistor na svijetu

13.04.2022

Istraživači FER-ovog Laboratorija za mikro i nano elektroniku (MiNEL) razvili su najbrži čisti silicijski lateralni bipolarni tranzistor na svijetu, baziran na novom konceptu bipolarnih tranzistora, piše Jutarnji.hr.

2. FER, foto PixabayFER, foto Pixabay

Najnoviji trendovi u razvoju poluvodiča (tranzistora) odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje što jednostavnijeg proizvodnog procesa kako bi im cijena bila što niža. Novi tip tranzistora koji su pod vodstvom profesora Tomislava Suligoja razvili FER-ovi istraživači laboratorija MiNEL, ima znatno jednostavniji proizvodni proces od dominantnih i složenijih silicij-germanijskih bipolarnih tranzistora te samim time i nižu cijenu. Bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje (HCBT) predstavlja najbrži silicijski bipolarni tranzistor na svijetu. Kao što navode istraživači MiNEL laboratorija, HCBT struktura je zaštićena s više od 10 patenata i objavljena u vodećim časopisima i konferencijama. Na HCBT-u su istraživači radili čitav niz godina, uključujući pisanje teorije, računalne simulacije, izvodeći eksperimente, procesiranje i mjerenja, što je rezultiralo velikim brojem istraživačkih projekata i suradnjom s međunarodnim kompanijama.

FER-ov laboratorij za mikro i nano elektroniku jedno je od vodećih mjesta u Hrvatskoj za istraživanje i razvoj na području poluvodičkih elemenata i tehnologije, modeliranja i simulacije novih poluvodičkih struktura te projektiranja integriranih sklopova.

Osim najbržeg silicijskog bipolarnog tranzistora na svijetu, istraživači MiNEL-a razvili su i najtanji FinFET na svijetu - s debljinom tijela od svega 1.9 nm i visinom od 500 nm

Jutarnji.hr.

ar©tur 2021